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IPW60R024P7XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
IPW60R024P7XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IPW60R024P7XKSA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 101A, 150度 C, 291W
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPW60R024P7XKSA1
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPW60R024P7XKSA1
MOSFET, N-CH, 600V, 101A, 150DEG C, 291W
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPW60R024P7XKSA1
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 386 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IPW60R024P7XKSA1
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPW60R024P7XKSA1
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 386 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IPW60R024P7XKSA1
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPW60R024P7XKSA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolMOS™ P7 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 101A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 24毫欧 42.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 2.03mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 164 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7144 pF 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 291W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | PG-TO247-3-41 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
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