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IPN70R600P7SATMA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 700V, 8.5A, 6.9W, SOT-223
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPN70R600P7SATMA1
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPN70R600P7SATMA1
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品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPN70R600P7SATMA1
MOSFET, N-CH, 700V, 8.5A, 6.9W, SOT-223
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPN70R600P7SATMA1
Infineon N沟道MOS管 700V CoolMOS P7系列, Vds=700 V, 8.5 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPN70R600P7SATMA1
Infineon N沟道MOS管 700V CoolMOS P7系列, Vds=700 V, 8.5 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPN70R600P7SATMA1
Infineon N沟道MOS管, Vds=700 V, 8.5 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, IPN70R600P7SATMA1
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPN70R600P7SATMA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolMOS™ P7 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 600 毫欧 1.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V 90µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 10.5 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 364 pF 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 6.9W（Tc） |
| 工作温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-SOT223 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
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