IRFR3410TRLPBF

IRFR3410TRLPBF

MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥10.8416
最低起订

自营

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MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.294108
最低起订

IRFR3410TRLPBF

MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.245164
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自营

IRFR3410TRLPBF

MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥2.700681
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DigiKey

IRFR3410TRLPBF

MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥6.606582
最低起订

IRFR3410TRLPBF

MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥16.002099
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IRFR3410TRLPBF

MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥16.002099
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Mouser

IRFR3410TRLPBF

MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥22.552735
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艾睿

IRFR3410TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥4.862236
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IRFR3410TRLPBF

场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 31A, TO-252AA

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.423569
最低起订

IRFR3410TRLPBF

Days to ship 9

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3+ ¥9.896269
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IRFR3410TRLPBF

Days to ship 3

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥5.889722
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IRFR3410TRLPBF

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥2.067554
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IRFR3410TRLPBF

Single N-Channel 100 V 39 mOhm 37 nC HEXFET Power Mosfet - DPAK

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥4.231272
最低起订

IRFR3410TRLPBF

MOSFET, N-CH, 100V, 31A, TO-252AA

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥10.141196
最低起订

IRFR3410TRLPBF

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 31 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, IRFR3410TRLPBF

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 760+ ¥5.959916
最低起订

IRFR3410TRLPBF

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 31 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, IRFR3410TRLPBF

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 20+ ¥6.143591
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IRFR3410TRLPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 39 毫欧 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1690 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3W(Ta),110W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

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