IRFR24N15DTRPBF

IRFR24N15DTRPBF

MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥10.007305
最低起订

自营

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MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.92258
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IRFR24N15DTRPBF

MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.091922
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IRFR24N15DTRPBF

IRFR24N15DTRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4+ ¥4.74064
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MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 30+ ¥4.654171
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MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥5.765899
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MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥6.439703
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MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 50+ ¥6.697291
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MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.381248
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IRFR24N15DTRPBF

IRFR24N15DTRPBF UDU SEMICONDUTOR

品牌:UDU SEMICONDUTOR

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 500+ ¥1.763096
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IRFR24N15DTRPBF

IRFR24N15DTRPBF BYCHIP/百域芯

品牌:

库存:1000 +

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销售单价: 10+ ¥3.719747
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IRFR24N15DTRPBF

IRFR24N15DTRPBF 英飞凌/INFINEON

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥4.889808
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IRFR24N15DTRPBF

IRFR24N15DTRPBF VBSEMI/微碧半导体

品牌:

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销售单价: 5+ ¥3.704345
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MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

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自营

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MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥4.871809
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DigiKey

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MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥11.917734
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MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

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销售单价: 1+ ¥23.659791
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MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

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销售单价: 1+ ¥8.421267
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Mouser

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MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

品牌:INFINEON

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥23.12821
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IRFR24N15DTRPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 95 毫欧 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 890 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 140W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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