IXFK26N120P

IXFK26N120P

MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264

品牌:IXYS

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 250+ ¥229.76493
最低起订

自营

IXFK26N120P

MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264

品牌:IXYS

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥279.122562
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DigiKey

IXFK26N120P

MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264

品牌:IXYS

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥482.322854
最低起订

Mouser

IXFK26N120P

MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264

品牌:IXYS

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥634.38007
最低起订

艾睿

IXFK26N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-264

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 300+ ¥332.22898
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IXFK26N120P

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Polar
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 460mOhm 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 225 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 16000 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 960W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-264AA (IXFK)
封装/外壳: TO-264-3, TO-264AA
温度: -55°C # 150°C (TJ)

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