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IAUC120N04S6N010ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
IAUC120N04S6N010ATMA1
90004001,场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 120A, TDSON
品牌：Infineon
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IAUC120N04S6N010ATMA1
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品牌：Infineon
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IAUC120N04S6N010ATMA1
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, TDSON
品牌：Infineon
库存：0
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IAUC120N04S6N010ATMA1
Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 120 A, PG-TDSON封装, 表面贴装
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IAUC120N04S6N010ATMA1
Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 120 A, PG-TDSON封装, 表面贴装
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IAUC120N04S6N010ATMA1
Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 120 A, PG-TDSON封装, 表面贴装
品牌：Infineon
库存：0
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IAUC120N04S6N010ATMA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | OptiMOS™-6 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 150A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 7V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.03毫欧 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V 90µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 108 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6878 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 150W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TDSON-8-34 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
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