IPB60R055CFD7ATMA1

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HIGH POWER_NEW

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥140.763024
最低起订

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品牌:INFINEON

库存:1000 +

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销售单价: 1+ ¥69.343285
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自营

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品牌:INFINEON

库存:1000 +

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销售单价: 1000+ ¥31.635382
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DigiKey

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品牌:INFINEON

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销售单价: 1000+ ¥54.665836
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MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥96.383465
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MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3

品牌:INFINEON

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥96.383465
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Mouser

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品牌:INFINEON

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销售单价: 1+ ¥110.684428
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IPB60R055CFD7ATMA1

场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 38A, 150度 C, 178W

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥75.494646
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IPB60R055CFD7ATMA1

MOSFET, N-CH, 600V, 38A, 150DEG C, 178W

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥79.738831
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IPB60R055CFD7ATMA1

Infineon N沟道增强型MOS管 IPA60R系列, Vds=600 V, 38 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:Infineon

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥41.56377
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IPB60R055CFD7ATMA1

Infineon N沟道增强型MOS管 IPA60R系列, Vds=600 V, 38 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:Infineon

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2+ ¥57.77496
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IPB60R055CFD7ATMA1

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™ CFD7
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 79 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3194 pF 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 178W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

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