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IRF6612TR1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 24A（Ta），136A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.3 毫欧 24A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.25V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 45 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3970 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.8W（Ta），89W（Tc） |
| 工作温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DIRECTFET™ MX |
| 封装/外壳: | DirectFET™ 等容 MX |
| 温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
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供货：锐单
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