IRF7473TRPBF
IRF7473TRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
IRF7473TRPBF
IRF7473TRPBF BYCHIP/百域芯
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
Mouser
艾睿
IRF7473TRPBF
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7473TRPBF
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 6.9A, SOIC-8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7473TRPBF
MOSFET, N-CH, 100V, 6.9A, SOIC-8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7473TRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 6.9 A, SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7473TRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 6.9 A, SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7473TRPBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 26 毫欧 4.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 61 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3180 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00