自营
IRF630NPBF
IRF630NPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
IRF630NPBF
IRF630NPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
IRF630NPBF
IRF630NPBF 国际整流器
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
Mouser
艾睿
IRF630NPBF
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
场效应管, MOSFET, N, TO-220 200V 9.5A
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
Days to ship 8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
Days to ship 8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
Single N-Channel 200 V 0.3 Ohm 35 nC HEXFET Power Mosfet - TO-220-3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 9.3 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 9.3 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF630NPBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 300 毫欧 5.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 35 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 575 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 82W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00