销售单价： 1+ ￥81.8202
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自营
销售单价： 3000+ ￥48.705179
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DigiKey
销售单价： 3000+ ￥119.145772
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IGLD60R190D1AUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8
品牌：INFINEON
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥229.020571
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IGLD60R190D1AUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8
品牌：INFINEON
库存：0
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Mouser
销售单价： 1+ 需询价
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IGLD60R190D1AUMA1
晶体管,GAN晶体管,600V,10A
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥120.56302
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IGLD60R190D1AUMA1
GAN TRANSISTOR, 600V, 10A
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥171.20673
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IGLD60R190D1AUMA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolGaN™ |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1,6V 960µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | -10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 157 pF 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 62.5W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-LSON-8-1 |
| 封装/外壳: | 8-LDFN 裸焊盘 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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