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IGD01N120H2BUMA1
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：
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销售单价： 2500+ ￥14.789423
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IGD01N120H2BUMA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 散装,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 最后售卖 |
| IGBT 类型: | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 3.2 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 3.5 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.8V 15V，1A |
| 功率 - 最大值: | 28 W |
| 开关能量: | 140µJ |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 8.6 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 13ns/370ns |
| 测试条件: | 800V，1A，241 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | - |
| 工作温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装: | PG-TO252-3-11 |
| 温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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