自营
IXTH16N10D2
N沟道 耐压:100V 电流:16A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):16A 功率(Pd):830W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):64mΩ@8A,0V
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥87.308887
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自营
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DigiKey
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Mouser
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艾睿
IXTH16N10D2
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 300+ ￥127.55911
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IXTH16N10D2
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 16A, TO-247
品牌：Littelfuse
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥155.654018
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IXTH16N10D2
MOSFET, N-CH, 100V, 16A, TO-247
品牌：Littelfuse
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥159.262621
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IXTH16N10D2
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | IXYS |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Depletion |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 0V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 64 毫欧 8A，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 225 nC 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 5700 pF 25 V |
| FET 功能: | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值）: | 830W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-247（IXTH） |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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