IXFN70N120SK

自营

IXFN70N120SK

SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B

品牌:IXYS

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥686.054205
最低起订

DigiKey

IXFN70N120SK

SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B

品牌:IXYS

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1678.270369
最低起订

Mouser

IXFN70N120SK

SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B

品牌:IXYS

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1575.135281
最低起订

艾睿

IXFN70N120SK

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin SOT-227B Tube

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥1406.00205
最低起订

IXFN70N120SK

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 68A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 50A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 15mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 161 nC 20 V
Vgs(最大值): +20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2790 pF 1000 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
温度: -40°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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