IRF7854TRPBF
IRF7854TRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF7854TRPBF
IRF7854TRPBF BYCHIP/百域芯
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF7854TRPBF
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF7854TRPBF
MOSFET, N-CH, 80V, 10A, SOIC
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF7854TRPBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=80 V, 10 A, SO-8封装, 通孔安装
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF7854TRPBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=80 V, 10 A, SO-8封装, 通孔安装
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 80 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 13.4 毫欧 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.9V 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 41 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1620 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SO |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00