IRFH5304TRPBF

IRFH5304TRPBF

MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥7.148075
最低起订

自营

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MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥12.9921
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MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.305664
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MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥3.794116
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IRFH5304TRPBF

MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥2.637185
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IRFH5304TRPBF

MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥2.833866
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IRFH5304TRPBF

IRFH5304TRPBF VBSEMI/微碧半导体

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥3.36811
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IRFH5304TRPBF

MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥3.117253
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自营

IRFH5304TRPBF

MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥2.130566
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DigiKey

IRFH5304TRPBF

MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥5.211927
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IRFH5304TRPBF

MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥12.323534
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IRFH5304TRPBF

MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

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销售单价: 1+ ¥12.323534
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Mouser

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MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥13.882931
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IRFH5304TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 22+ ¥3.459719
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Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 31+ ¥9.88437
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品牌:Infineon

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥7.759961
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Days to ship 9

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3+ ¥8.071871
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IRFH5304TRPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A(Ta),79A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 47A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.35V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2360 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.6W(Ta),46W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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