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Mouser
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艾睿
IXYP10N65C3D1M
High Performance 650V IGBT Chip
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
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IXYP10N65C3D1M
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | IXYS |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | XPT™, GenX3™ |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 15 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 50 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.6V 15V，10A |
| 功率 - 最大值: | 53 W |
| 开关能量: | 240µJ（开），170µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 18 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 20ns/77ns |
| 测试条件: | 400V，10A，50 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 26 ns |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商器件封装: | TO-220 隔离的标片 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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