IPD60R280P7ATMA1

IPD60R280P7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥11.208835
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MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

品牌:INFINEON

库存:1000 +

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销售单价: 1+ ¥27.410977
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MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

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自营

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DigiKey

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MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

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MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

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MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

品牌:INFINEON

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Mouser

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MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

品牌:INFINEON

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销售单价: 1+ ¥28.540063
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IPD60R280P7ATMA1

场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 12A, 53W, TO-252

品牌:Infineon

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销售单价: 1+ ¥19.123561
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IPD60R280P7ATMA1

Days to ship 3

品牌:Infineon

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IPD60R280P7ATMA1

MOSFET, N-CH, 600V, 12A, 53W, TO-252

品牌:Infineon

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IPD60R280P7ATMA1

Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS系列, Vds=650 V, 12 A, TO-252封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:Infineon

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销售单价: 10+ ¥11.78504
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IPD60R280P7ATMA1

Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS系列, Vds=650 V, 12 A, TO-252封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:Infineon

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 630+ ¥11.667013
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IPD60R280P7ATMA1

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™ P7
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 280 毫欧 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 190µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 761 pF 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 53W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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