IRF7946TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF7946TRPBF
场效应管, MOSFET, N沟é“, 40V, 198A, DIRECTFET
品牌:Infineon
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IRF7946TRPBF
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品牌:Infineon
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IRF7946TRPBF
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品牌:Infineon
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IRF7946TRPBF
MOSFET, N-CH, 40V, 198A, DIRECTFET
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF7946TRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管 DirectFET系列, Vds=40 V, 198 A, DirectFET ISOMETRIC封装, 表面贴装
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF7946TRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管 DirectFET系列, Vds=40 V, 198 A, DirectFET ISOMETRIC封装, 表面贴装
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 90A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.4 毫欧 90A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.9V 150µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 212 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 6852 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 96W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DIRECTFET™ MX |
封装/外壳: | DirectFET™ 等容 MX |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
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