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IRF7104TRPBF
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7104TRPBF
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7104TRPBF
场效应管, MOSFET, 双路P沟道, -20V, -2.3A, SOIC-8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7104TRPBF
Days to ship 9
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7104TRPBF
Days to ship 9
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7104TRPBF
MOSFET, DUAL P CH, -20V, -2.3A, SOIC-8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7104TRPBF
Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 2.3 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7104TRPBF
Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 2.3 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF7104TRPBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 250 毫欧 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 25nC 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 290pF 15V |
| 功率 - 最大值: | 2W |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00