IRF7313TRPBF

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MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 6.5A 2W 表面贴装型 8-SO

品牌:INFINEON

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

品牌:INFINEON

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自营

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

品牌:INFINEON

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IRF7313TRPBF

品牌:TECH PUBLIC

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

品牌:INFINEON

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

品牌:INFINEON

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

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DigiKey

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

品牌:INFINEON

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

品牌:INFINEON

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

品牌:INFINEON

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Mouser

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

品牌:INFINEON

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艾睿

IRF7313TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R

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IRF7313TRPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 29 毫欧 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 650pF 25V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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