IRLHS6376TRPBF
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
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Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
品牌:Infineon
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Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
品牌:Infineon
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Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
品牌:Infineon
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场效应管, MOSFET, 双路, N与P沟道, 30V, 6.8A, SOIC-8
品牌:Infineon
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品牌:Infineon
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品牌:Infineon
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品牌:Infineon
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IRLHS6376TRPBF
品牌:Infineon
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IRLHS6376TRPBF
Dual N-Channel 30 V 63 mOhm 2.8 nC HEXFET Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
品牌:Infineon
库存:0
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IRLHS6376TRPBF
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 3.6A, PQFN-8
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
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Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 3.6 A, DFN2020, 通孔安装, IRLHS6376TRPBF
品牌:Infineon
库存:0
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Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 3.6 A, DFN2020, 通孔安装, IRLHS6376TRPBF
品牌:Infineon
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IRLHS6376TRPBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 3.6 A, DFN2020, 通孔安装, IRLHS6376TRPBF
品牌:Infineon
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货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 63 毫欧 3.4A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.1V 10µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 2.8nC 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 270pF 25V |
功率 - 最大值: | 1.5W |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-VDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装: | 6-PQFN(2x2) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00