IRFHE4250DTRPBF

自营

IRFHE4250DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

DigiKey

IRFHE4250DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

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MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

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IRFHE4250DTRPBF

HEXFET POWER MOSFET

品牌:International

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 168+ ¥21.189284
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Mouser

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MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

品牌:INFINEON

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销售单价: 1+ 需询价
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IRFHE4250DTRPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: FASTIRFET™
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 86A,303A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.75 毫欧 27A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1735pF 13V
功率 - 最大值: 156W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 32-PowerWFQFN
供应商器件封装: 32-PQFN(6x6)
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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型号:

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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