属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.8A,4.6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 27 毫欧 6.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.3V 10µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 14nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 398pF 15V |
功率 - 最大值: | 2W |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
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品牌:
供货:锐单
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