IRLML5103TRPBF
IRLML5103TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRLML5103TRPBF
IRLML5103TRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRLML5103TRPBF
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLML5103TRPBF
场效应管, MOSFET, P, MICRO3
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLML5103TRPBF
Days to ship 3
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLML5103TRPBF
Days to ship 9
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLML5103TRPBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLML5103TRPBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLML5103TRPBF
MOSFET, P, MICRO3
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLML5103TRPBF
Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 760 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLML5103TRPBF
Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 760 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 760mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 600 毫欧 600mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 5.1 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 75 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 540mW(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | Micro3™/SOT-23 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00