IRLHS6242TRPBF

IRLHS6242TRPBF

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥4.087017
最低起订

自营

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MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.051113
最低起订

IRLHS6242TRPBF

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.507967
最低起订

IRLHS6242TRPBF

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥1.625306
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IRLHS6242TRPBF

IRLHS6242TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微

品牌:JSMSEMI

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥2.572358
最低起订

IRLHS6242TRPBF

IRLHS6242TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2+ ¥4.414951
最低起订

IRLHS6242TRPBF

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥2.335998
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IRLHS6242TRPBF

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥6.74969
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IRLHS6242TRPBF

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 100+ ¥4.480202
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自营

IRLHS6242TRPBF

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥0.997278
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DigiKey

IRLHS6242TRPBF

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥2.439606
最低起订

IRLHS6242TRPBF

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.000787
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IRLHS6242TRPBF

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.000787
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Mouser

IRLHS6242TRPBF

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.803092
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艾睿

IRLHS6242TRPBF

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R

品牌:Infineon Technologies

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.016145
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IRLHS6242TRPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta),12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.7 毫欧 8.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1110 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.98W(Ta),9.6W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-PQFN(2x2)
封装/外壳: 6-PowerVDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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型号:

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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货期:1-2天

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