IRFS3806TRLPBF

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MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥14.89752
最低起订

自营

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MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥20.368431
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MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥7.35196
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自营

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MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥4.240946
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DigiKey

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MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥10.374476
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IRFS3806TRLPBF

MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥19.292112
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IRFS3806TRLPBF

MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥19.292112
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Mouser

IRFS3806TRLPBF

MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥21.787036
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艾睿

IRFS3806TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3200+ ¥9.029364
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IRFS3806TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:Infineon

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 26+ ¥11.057762
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IRFS3806TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:Infineon

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 14+ ¥9.64425
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IRFS3806TRLPBF

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 43A, TO-263-3

品牌:Infineon

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销售单价: 1+ ¥12.791168
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IRFS3806TRLPBF

Single N-Channel 60V 15.8 mOhm 22 nC HEXFET Power Mosfet - D2PAK

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥4.702387
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IRFS3806TRLPBF

Single N-Channel 60V 15.8 mOhm 22 nC HEXFET Power Mosfet - D2PAK

品牌:Infineon

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥4.793696
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IRFS3806TRLPBF

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥6.17216
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IRFS3806TRLPBF

MOSFET, N-CH, 60V, 43A, TO-263-3

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥13.078861
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IRFS3806TRLPBF

Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 43 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 200+ ¥10.830198
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IRFS3806TRLPBF

Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 43 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥10.906917
最低起订

IRFS3806TRLPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15.8 毫欧 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1150 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 71W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

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