自营
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DigiKey
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Mouser
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IPD60R1K4C6ATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 2500+ ￥3.112518
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IPD60R1K4C6ATMA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 3.2A, TO-252-3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥9.234246
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IPD60R1K4C6ATMA1
Days to ship 9
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 2500+ ￥3.323654
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IPD60R1K4C6ATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 3.2A, TO-252-3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥9.570751
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IPD60R1K4C6ATMA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolMOS™ C6 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.4 欧姆 1.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V 90µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 9.4 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 200 pF 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 28.4W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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