自营
IRFB9N65APBF
IRFB9N65APBF VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
Mouser
艾睿
IRFB9N65APBF
Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
品牌：Vishay
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB9N65APBF
MOSFET 650V N-CH HEXFET MOSFET
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB9N65APBF
MOSFETs TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB9N65APBF
场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 8.5A, TO-220
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB9N65APBF
MOSFET, N-CH, 650V, 8.5A, TO-220
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB9N65APBF
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 8.5 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB9N65APBF
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB9N65APBF
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 8.5 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB9N65APBF
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB9N65APBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 930 毫欧 5.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 48 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1417 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 167W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00