JANTXV1N5809US

自营

JANTXV1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

品牌:Microchip Technology

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥203.837295
最低起订

JANTXV1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

品牌:Microchip Technology

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥187.341272
最低起订

DigiKey

JANTXV1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

品牌:Microchip Technology

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 128+ ¥146.324936
最低起订

JANTXV1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 6A

品牌:Semtech Corporation

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

Mouser

JANTXV1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

品牌:Microchip Technology

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥181.88924
最低起订

JANTXV1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

品牌:Microchip Technology

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

艾睿

JANTXV1N5809US

Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin MELF-B

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 500+ ¥147.893184
最低起订

JANTXV1N5809US

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: Military, MIL-PRF-19500/477
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV 4 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 100 V
不同 Vr、F 时电容: 60pF 10V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SQ-MELF,B
供应商器件封装: B,SQ-MELF
工作温度 - 结: -65°C # 175°C
温度:

锐单logo

型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00

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