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NTHS4101PT1G
Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
NTHS4101PT1G
Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTHS4101PT1G
Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTHS4101PT1G
场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -4.8A, CHIPFET-8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTHS4101PT1G
Days to ship 8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTHS4101PT1G
Days to ship 3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTHS4101PT1G
MOSFET, P CH, -20V, -4.8A, CHIPFET-8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTHS4101PT1G
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 6.7 A, ChipFET封装, 表面贴装, 8引脚
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTHS4101PT1G
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 6.7 A, ChipFET封装, 表面贴装, 8引脚
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTHS4101PT1G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.8A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 34 毫欧 4.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 35 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2100 pF 16 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.3W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | ChipFET™ |
| 封装/外壳: | 8-SMD，扁平引线 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00