NTD20N03L27T4G

自营

NTD20N03L27T4G

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥11.353434
最低起订

NTD20N03L27T4G

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

自营

NTD20N03L27T4G

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥4.565522
最低起订

DigiKey

NTD20N03L27T4G

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥7.889206
最低起订

NTD20N03L27T4G

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥19.033216
最低起订

NTD20N03L27T4G

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥19.033216
最低起订

NTD20N03L27T4G

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

Mouser

NTD20N03L27T4G

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥24.041013
最低起订

艾睿

NTD20N03L27T4G

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

品牌:ON Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥9.96595
最低起订

NTD20N03L27T4G

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 20A, TO-252-4

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥14.998626
最低起订

NTD20N03L27T4G

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 20 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥6.048353
最低起订

NTD20N03L27T4G

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 20 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 630+ ¥9.831154
最低起订

NTD20N03L27T4G

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 27 毫欧 10A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18.9 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1260 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.75W(Ta),74W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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