属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A(Ta),90A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,11.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4 毫欧 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 28 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2677 pF 12 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 890mW(Ta),55.6W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN,5 引线 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00