NVBG020N090SC1

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SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥572.233079
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自营

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SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

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DigiKey

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SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥546.841459
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SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥735.97901
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SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

品牌:ON

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销售单价: 1+ ¥735.97901
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Mouser

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SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

品牌:ON

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销售单价: 1+ ¥887.805112
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艾睿

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Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

品牌:

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销售单价: 800+ ¥516.519151
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NVBG020N090SC1

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.8A(Ta),112A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28 毫欧 60A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.3V 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 200 nC 15 V
Vgs(最大值): +19V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4415 pF 450 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),477W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK-7
封装/外壳: TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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