NVMD6N04R2G

自营

NVMD6N04R2G

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥10.597436
最低起订

自营

NVMD6N04R2G

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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DigiKey

NVMD6N04R2G

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

NVMD6N04R2G

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

NVMD6N04R2G

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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Mouser

NVMD6N04R2G

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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艾睿

NVMD6N04R2G

Trans MOSFET N-CH 40V 5.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥10.681325
最低起订

NVMD6N04R2G

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 34 毫欧 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 900pF 32V
功率 - 最大值: 1.29W
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -

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型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

单价:

货期:1-2天

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