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艾睿
NVMFD5C650NLT1G
Trans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1500+ ￥26.146086
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NVMFD5C650NLT1G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 21A（Ta），111A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.2 毫欧 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V 98µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 16nC 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2546pF 25V |
| 功率 - 最大值: | 3.5W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道） |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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