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艾睿
NGTB03N60R2DT4G
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 49mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥4.303141
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NGTB03N60R2DT4G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 9 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 12 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.1V 15V，3A |
| 功率 - 最大值: | 49 W |
| 开关能量: | 50µJ（开），27µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 17 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 27ns/59ns |
| 测试条件: | 300V，3A，30 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 65 ns |
| 工作温度: | 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装: | DPAK |
| 温度: | 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
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