NTD6416ANT4G
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
NTD6416ANT4G
场效应管, MOSFET, N沟道, 带二极管, 100V, 17A, DPAK
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTD6416ANT4G
Days to ship 10
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTD6416ANT4G
N-Channel 100 V 81 mOhm 71 W Surface Mount Power MOSFET -TO-252-3
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTD6416ANT4G
MOSFET,N CH,W DIODE,100V,17A,DPAK
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTD6416ANT4G
N-Channel 100 V 81 mOhm 71 W Surface Mount Power MOSFET -TO-252-3
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 17A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 81 毫欧 17A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 20 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 620 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 71W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DPAK |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
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