QH8MA3TCR
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
QH8MA3TCR
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
品牌:ROHM
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QH8MA3TCR
场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 30V, 7A, TSMT
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
QH8MA3TCR
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品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
QH8MA3TCR
MOSFET, N AND P-CH, 30V, 7A, TSMT
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
QH8MA3TCR
ROHM N/P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 7 A, TSMT8封装, 表面贴装, 8引脚
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
QH8MA3TCR
ROHM N/P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 7 A, TSMT8封装, 表面贴装, 8引脚
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Rohm Semiconductor |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A,5.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 29 毫欧 7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 7.2nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 300pF 15V |
功率 - 最大值: | 1.5W |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装: | TSMT8 |
温度: | 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
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