RGW80TK65DGVC11

自营

RGW80TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

品牌:Rohm Semiconductor

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥63.498366
最低起订

RGW80TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

品牌:Rohm Semiconductor

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3+ ¥95.541984
最低起订

DigiKey

RGW80TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥89.490124
最低起订

Mouser

RGW80TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥89.612057
最低起订

RGW80TK65DGVC11

Trans IGBT Chip N-CH 650V 39A 81000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM

品牌:ROHM

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 14+ ¥21.670451
最低起订

RGW80TK65DGVC11

Trans IGBT Chip N-CH 650V 39A 81000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM

品牌:ROHM

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 23+ ¥32.714353
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RGW80TK65DGVC11

Days to ship 3

品牌:ROHM

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥17.580423
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RGW80TK65DGVC11

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 39 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,40A
功率 - 最大值: 81 W
开关能量: 760µJ(开),720µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 110 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 44ns/143ns
测试条件: 400V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 92 ns
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装: TO-3PFM
温度: -40°C # 175°C(TJ)

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