RFD14N05SM9A

自营

RFD14N05SM9A

MOSFET N-CH 50V 14A DPAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥3.693417
最低起订

RFD14N05SM9A

MOSFET N-CH 50V 14A DPAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.530845
最低起订

DigiKey

RFD14N05SM9A

MOSFET N-CH 50V 14A DPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥5.488234
最低起订

RFD14N05SM9A

MOSFET N-CH 50V 14A DPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥20.653157
最低起订

RFD14N05SM9A

MOSFET N-CH 50V 14A DPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥20.653157
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RFD14N05SM9A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

品牌:ON Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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Mouser

RFD14N05SM9A

MOSFET N-CH 50V 14A DPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥20.0653
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艾睿

RFD14N05SM9A

Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥10.21949
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RFD14N05SM9A

Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

品牌:ON Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥4.733095
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RFD14N05SM9A

Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥5.091207
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RFD14N05SM9A

场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 14A, TO-252AA-3

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥12.831376
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RFD14N05SM9A

Days to ship 9

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥3.426759
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RFD14N05SM9A

Days to ship 3

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥2.961393
最低起订

RFD14N05SM9A

MOSFET, N-CH, 50V, 14A, TO-252AA-3

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥13.017692
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RFD14N05SM9A

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=50 V, 14 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥4.058479
最低起订

RFD14N05SM9A

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=50 V, 14 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 630+ ¥5.218057
最低起订

RFD14N05SM9A

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=50 V, 14 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, RFD14N05SM9A

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥5.379071
最低起订

RFD14N05SM9A

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 20 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 570 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 48W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

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