SI5471DC-T1-GE3

自营

SI5471DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥2.170435
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DigiKey

SI5471DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥3.750504
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SI5471DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.706823
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SI5471DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

品牌:Vishay

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销售单价: 1+ ¥9.706823
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Mouser

SI5471DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

品牌:Vishay

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销售单价: 1+ ¥11.156488
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艾睿

SI5471DC-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R

品牌:

库存:0

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销售单价: 3000+ ¥3.054843
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SI5471DC-T1-GE3

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchFET®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 9.1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 96 nC 10 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2945 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),6.3W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 1206-8 ChipFET™
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

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