STP11NM60FD

自营

STP11NM60FD

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

品牌:ST

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥20.719377
最低起订

自营

STP11NM60FD

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

品牌:ST

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥38.693998
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DigiKey

STP11NM60FD

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

品牌:ST

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥66.863099
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Mouser

STP11NM60FD

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

品牌:ST

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥85.725338
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艾睿

STP11NM60FD

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥31.652243
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STP11NM60FD

属性 参数值
品牌: STMicroelectronics
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: FDmesh™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 900 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 160W(Tc)
工作温度: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
温度: -

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供货:锐单

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