SIHA100N60E-GE3

DigiKey

SIHA100N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V TO-220 FULLPAK

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥59.185354
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Mouser

SIHA100N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V TO-220 FULLPAK

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥76.530379
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SIHA100N60E-GE3

MOSFET 600V Vds, +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥21.826321
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SIHA100N60E-GE3

场效应管, MOSFET, N沟道, 30A, 600V, TO-220FP

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥45.344326
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SIHA100N60E-GE3

Days to ship 7

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 15+ ¥56.645484
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SIHA100N60E-GE3

Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 30 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2+ ¥38.000176
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SIHA100N60E-GE3

Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 30 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 14+ ¥36.86396
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SIHA100N60E-GE3

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: E
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 50 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1851 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 35W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220 整包
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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