SQM120N04-1M7_GE3

自营

SQM120N04-1M7_GE3

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥11.6696
最低起订

DigiKey

SQM120N04-1M7_GE3

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥20.16503
最低起订

Mouser

SQM120N04-1M7_GE3

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥51.791169
最低起订

SQM120N04-1M7_GE3

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7 毫欧 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 310 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 17350 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263(D²Pak)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)

锐单logo

型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台