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自营
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TK13A50D(STA4,Q,M)
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品牌：TOSHIBA
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥10.198042
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TK13A50D(STA4,Q,M)
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | π-MOSVII |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 400 毫欧 6.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 38 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1800 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 45W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220SIS |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 温度: | 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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