TPS1100D

TPS1100D

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

品牌:TI

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥29.853241
最低起订

自营

TPS1100D

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

品牌:Texas Instruments

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

自营

TPS1100D

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

品牌:TI

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥10.888017
最低起订

DigiKey

TPS1100D

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

品牌:TI

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥26.634974
最低起订

Mouser

TPS1100D

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

品牌:TI

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥20.065369
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艾睿

TPS1100D

Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube

品牌:Texas Instruments

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 75+ ¥10.690513
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TPS1100D

属性 参数值
品牌: Texas Instruments
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.45 nC 10 V
Vgs(最大值): +2V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 791mW(Ta)
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -40°C # 150°C(TJ)

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