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艾睿
TK10A80W,S4X
Trans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
品牌：Toshiba
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 50+ ￥21.760012
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TK10A80W,S4X
Trans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥33.003436
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TK10A80W,S4X
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | DTMOSIV |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 550 毫欧 4.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 450µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 19 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1150 pF 300 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 40W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220SIS |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 温度: | 150°C |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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