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TPH4R803PL,LQ
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | U-MOSIX-H |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 48A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.8 毫欧 24A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.1V 200µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 22 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1975 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 830mW（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度: | 175°C |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOP Advance（5x5） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 温度: | 175°C |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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