TC6320TG-G
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
TC6320TG-G
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
品牌:MICROCHIP
库存:0
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TC6320TG-G
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
品牌:MICROCHIP
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TC6320TG-G
场效应管, MOSFET, N 与 P, 200V, NSOIC-8
品牌:MICROCHIP
库存:0
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TC6320TG-G
MOSFET, N & P COMP, 200V, NSOIC-8
品牌:MICROCHIP
库存:0
货期: 7~10工作日
TC6320TG-G
Dual MOSFET - N and P Channel - 200 V - 7 ohm - 10 V - 2 V.
品牌:MICROCHIP
库存:0
货期: 7~10工作日
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Microchip Technology |
| 包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压(Vdss): | 200V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 7 欧姆 1A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 110pF 25V |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00